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[转]几道analog面试题

都是些纯技术的问题，关于op-amp的。+U&tpgqK
'A4i)di Z"Ttw5O9^
1. 比较三种结构：a. 2-stage op-amp (active load, class-A output stage); b. 0C pl
X"c8X%_G
telescopic op-amp; 3. folded-cascode op-amp。3者各有什么优缺点。
j#Y
? qq|aac2r
!p9fW*S c O 2. 设计普通的2-stage op-amp，是第一级还是第二级的gain比较的大？为什么？
r,yG!bj/?4y2U,t
'g?6MZIIZ 3. 普通的2-stage op-amp,如果没有任何freq compensation,那么那个是dominant
r.?+C
`0I:Q&w5F pole?哪个是secondary pole。请解释为什么会是这样（就是说，你要是说第一级输出
3Lv"E&yQrR!xI:e 是dominant，那么好，解释一下为什么它是dominant;反之亦然。）'ocpv0[{9fG
:m;Hp}7~:R a9Q[M
4. Miller compensation一般是怎么work的？通过Miller compensation,原先的+LyF'? rT2o%I
dominant pole现在怎么样？secondary pole现在怎么样？为什么会出现这样的情况（ uE!M.C/}K Y#s1L
我们都知道Miller是pole splitting,让低频的pole更低，让高频率的更高。你要回答
[4Skiu 的是为什么会这样？不是单单从公式的角度）？
1[r9UE/`HC
5xb.Ki(\ {N4l#W 5. Noise，对于一个input pair来说，是PMOS or NMOS 的noise更好，请解释主要是什
/]R?TG$tu#t q6P 么东西引起的。如果降低noise，gm需要减少还是增加？
)`!_ y3i9sD:b n9P'a1R/b
6. offset，对于一个普通的2-stage op-amp，有哪些offset （input diff pair,)AJ'r:]2\
output of the 1st stage, etc）,在这些offset中，哪些是有major影响的，它们各自
:{6Y Vp5zi.W l 的影响分别是什么?

强烈要求附上答案！！

[size=5][color=blue]好帖啊![/color][/size] b?)a3I7c7N(X
[size=5][color=#0000ff]很基础,很扎实的问题[/color][/size]

呵呵，好帖Qt i
p$Rb(~+@;K
真的是玩基本功了。

1. 2 stage opamp need compensation, but has best swing, worst power
.yOX4T-S^/v A/~(C telescopic has lowest power, worst swing, but can not short output to input.
:`D_-@VXq folded cascode uses more power than telescopic, a little better swing, can 6L3q]9x,j"WA~y0Bz
short output to input, better input common mode rangeZ9[O P$W-S8C

#yw1fC j-ZW Cf 2. stage1>stage2 for low noisefUP'mT!I$h+X

4N3z%A'VbwK6k9a 3. stage1(if the CL is in the pF range, the miller effect can be ignored)HNk1cCbga%e.@T
3a3BB-m8k
4. the cap seen from input is amplified to  (1+A)*Cgd. Miller compensation makes dominant pole lower and secondary pole higher
.egTc+]$FfS!N-j
8Ht5jLI ` 5. if the difference  in the Nwell,1/f noise of MOSFET can be written as:Vg^2=K/(W*L*Cox*f)
\/X.^y;y_A    For PMOS, K factor is smaller than that of NMOS.

[size=4][color=navy][b]这些答案其实在拉扎维的书上都可以找到[/b][/color][/size]
Ho1`^0u [size=4][color=#000080][b]哎,当年灿叔上课的时候没有好好的听,认真的学[/b][/color][/size]
oT1^.gBcXE [size=4][color=#000080][b]现在想来,追悔莫及啊[/b][/color][/size]!LjWKw.Dy9N+^*Ia
[size=4][color=navy]magicdog回答的很好,令人佩服[/color][/size]

\-}/C`G`c [size=4][color=#000080]补充一点个人的观点:[/color][/size]
e0N8l%r
?yC [size=4][color=#000080]第4问:主极点内移是由于MILLER EFFECT,第二极点外移是因为[/color][/size]+[`8~j;INiOs"rtN;Y
[size=4][color=#000080]MILLER电容和输出管形成了一条高频通路,在高频时降低了输出[/color][/size]
I0D)wz(izZ#J [size=4][color=#000080]节点的阻抗,当然极点也会相应的往高频方向移动![/color][/size]!Ut_3l-K1Lt\
oL
[size=4][color=#000080]第5问:1/f噪声主要是MOS管栅氧化层与沟道(硅)的界面处的悬挂键,以及杂质/掺杂离子等引起的,记得以前做MOS C-V实验画低频/高频曲线,就是奇怪/诡异的曲线产生,[/color][/size];cz Z(kT,kNi-y
[size=4][color=#000080]PMOS由于是Buried channel,而且it's carrier is hole instead of electron,所以噪声会小一点吧(也许是因为空穴有效质量比电子大一点吧,不易被干扰,这是我猜的:lol )[/color][/size]
nu~+SHA2v"n [size=4][color=#000080]第6问:我觉得OFFSET失调电压主要是由于输入管的Vth失调导致的,[/color][/size]z5KE{ |vY
[size=4][color=#000080]一般MOS的Vos在几十uV很正常,还有就是可能电流镜的误差,器件的失配,干扰源的位置[/color][/size]
@]*O]xvT\ L [size=4][color=#000080]等等,反正Layout时要对称对称再对称![/color][/size]

[quote]原帖由 [i]fuyibin[/i] 于 2007-3-30 16:37 发表_Ea9VQ d9QR
这些答案其实在拉扎维的书上都可以找到'e O zU3qlS
哎,当年灿叔上课的时候没有好好的听,认真的学,Ac0V y,`'vh xb
现在想来,追悔莫及啊
`m%{9Cq6H magicdog回答的很好,令人佩服
bN,L6]"lT 补充一点个人的观点:2OuSA WZnY
第4问:主极点内移是由于MILLER EFFECT,第二极 ... [/quote]
F Gt[g+` `9? Ym
y+j,}"KH/p 'Bd%P/ewA9{
fuyibin是西交大的?P*`4wH@4r KPv!NZ
那界的啊?yLK d"]Ro|-p

(LQK-rVT
F[2Br [[i] 本帖最后由 magicdog 于 2007-3-31 12:52 编辑 [/i]]

西交的牛人~:) 在这里很活跃嘛

noise在设计中非常重要？

好几道noise的题目，noise在实际产品中设计时非常重要？
7_q1JL.k-{ 上课时老师把这章都直接跳过了

很深刻,看来基础很重要

后悔啊!!

果然牛啊，真是佩服得五体投地。

都是很基础的问题，看来基础还是最重要的。

好帖子~~~~

太好了。。

正找不到动力。。看了这几个题目后，更加要认真看书了。。谢谢楼主啊。。

第6道怎么作答呀,高手指点一下!谢谢

不错#M:kK%oB!b
看似基础简单的问题L q%\+W3_Q
如果对课本没有一点理解还是很难回答的全面的
YL
p8K
f8h8y;y'l[
g 所以看书要多思考，多归纳:]g1L/\qp
多谢楼主和几位回答的朋友

牛啊。A#Q"o }'X$W2q9w/NtG
不过能回答这样的问题，也不能保证工作呀

我一道也答不上来啊
A$a'dl?X[m&dq 看来我得多看点书才行了

基础，还好记得一些！