miao 2008-10-6 23:45
pmos 和nmos 的W/L比例
按照教科书上将，在设计反相器版图时，pmos 和nmos 的W/L比例应该为2.5:1左右，但实际上看到的一些库，如tanner 的scmos库 及ncsu-cdk内的layout,其nmos和pmos的W/L均为1：1，请高手指点，这样做有何道理，好处和坏处在哪里？
xiaowanzi88 2008-10-10 10:24
个人愚见:pmos的电流驱动能力很弱,因为当中的多子是空穴,其迁移率只有电子的1/4-1/2左右,所以为了提高pmos的Id必须把W/L增大.一般使用的设计软件给出的都是理想状态,我们还需要靠自己去计算得出最夹答案!
sunxuejin 2008-10-10 16:52
应该是这样的
autumnwind 2008-10-10 22:12
这个主要看各个逻辑库的，一般情况下是3~4：1